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成都獵頭公司淺析芯片的原材料是什么呢?

發(fā)布時(shí)間:2022-11-12 11:10:05 作者:玨佳成都獵頭公司 點(diǎn)擊次數(shù):598

成都獵頭公司淺析芯片的原材料是什么呢?芯片在我們生活中有多重要呢?小到無(wú)線耳機(jī)、智能手機(jī),大到汽車火車、飛機(jī)輪船,再到冰箱、電視、洗衣機(jī)等等都離不開芯片??梢哉f(shuō),芯片已經(jīng)是我們生活中不可或缺的電子元器件了。但是你能想想這么一款精密器件,它居然是由沙子制成的嗎?

第一步,硅提煉及提純

芯片是由單質(zhì)硅制成的,但自然界中并沒有天然的單質(zhì)硅,大都以硅的氧化物(二氧化硅、SiO2)形態(tài)存在,二氧化硅恰好是沙子的主要成分。

芯片所使用的沙子并非我們?nèi)粘T诤?、河道、建筑工地等所見的那種,因?yàn)檫@種沙子含有紅色、黃色、橙色的雜質(zhì),提純難度更大。

芯片使用的沙子叫硅砂,這種沙子幾乎沒有其他的雜質(zhì),就是純凈的二氧化硅。那么如何把二氧化硅變成單質(zhì)硅呢?

工業(yè)上經(jīng)常用碳在高溫下還原二氧化硅,然后制得含有少量雜質(zhì)的粗貴。

化學(xué)式:SiO2+2C==高溫==Si+2CO↑

我們將二氧化硅和碳充分混合,然后放入電弧爐中,加熱到2000℃以上,在高溫下,碳會(huì)與二氧化硅發(fā)生反應(yīng),爐膛底部會(huì)留下單質(zhì)硅,而CO變?yōu)闅怏w排出。

之后再用氧氣對(duì)硅進(jìn)行處理,把鈣、鋁等雜質(zhì)去除,得到純度為99%的單質(zhì)硅。這個(gè)純度遠(yuǎn)達(dá)不到制造芯片的標(biāo)準(zhǔn)。

為了進(jìn)一步提純單質(zhì)硅,我們需要將其研磨成粉狀,然后加入氯化氫,放入流化床反應(yīng)器中,加熱到300℃讓其充分反應(yīng),生成三氯硅烷,同時(shí)去除鐵、硼、磷等雜質(zhì)。

三氯硅烷繼續(xù)加熱到1000℃,然后與氫氣反應(yīng),最終形成純度為99.999999%的單質(zhì)硅,這個(gè)級(jí)別的硅就可以用來(lái)制造芯片了。

但此時(shí)的單質(zhì)硅只能算多晶硅,由數(shù)量眾多的小晶體或者微晶構(gòu)成,這些小晶體之間的連接處有晶界,晶界會(huì)導(dǎo)致電子信號(hào)混亂,因此必須更改硅的結(jié)構(gòu),使其變成單晶硅。

第二步單晶硅生長(zhǎng)

多晶硅變單晶硅的過(guò)程叫做直拉單晶技術(shù),又稱長(zhǎng)晶。它的工藝流程為:熔化一→縮頸生長(zhǎng)一→放肩生長(zhǎng)一→等徑生長(zhǎng)一→尾部生長(zhǎng)。

熔化:簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是將多晶硅加入石英鍋內(nèi),加熱到熔點(diǎn)以上(1420℃),整個(gè)工程不能接觸空氣,因此長(zhǎng)晶爐一般都是抽成真空,然后加入氬氣。

縮頸生長(zhǎng):將微小的晶粒放入熔化的硅熔體中,因?yàn)闇囟炔顚?dǎo)致接觸面產(chǎn)生熱應(yīng)力,形成位錯(cuò),此時(shí)快速提升,使長(zhǎng)出的籽晶直徑減小到46mm左右。

而放肩生長(zhǎng)就是將晶體的直徑放大至所需的尺寸,該過(guò)程需要注意降溫、減小拉速。

等徑生產(chǎn),就是保持晶體直徑不變,持續(xù)拉長(zhǎng)的過(guò)程。

尾部生長(zhǎng)與放肩生長(zhǎng)過(guò)程相反,當(dāng)直徑縮小至一個(gè)點(diǎn)時(shí),晶棒就會(huì)與硅熔體分離。整個(gè)長(zhǎng)晶過(guò)程結(jié)束。多晶硅也就變成了單晶硅棒,也就是我們常說(shuō)的硅錠。

目前硅錠的直徑大都為150mm、300mm、450mm三種,用于制造8英寸、12英寸的晶圓。

第三步制成晶圓

硅晶棒是無(wú)法直接進(jìn)行刻蝕的,它需要經(jīng)過(guò)切斷、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻等程序后,才能成為芯片制造的基本材料——“晶圓”。

晶圓的切片方法有傳統(tǒng)的機(jī)械切割(劃片)和激光切割(切片)。

機(jī)械切割是直接將鉆石鋸片作用在晶圓表面,產(chǎn)生應(yīng)力,使其分割。切割寬度一般為25-35μm之間,速度為8-10mm/s,切割慢,不同規(guī)格需要不同的刀具。

此外,機(jī)械切割容易造成晶圓崩邊、破損等現(xiàn)象。

而旋轉(zhuǎn)砂輪式切割雖然可以降低晶圓破損,但需要去離子水冷卻,又導(dǎo)致成本較高。于是發(fā)明了新型激光切割。

激光切割不會(huì)產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力,大大地保證了晶圓的質(zhì)量。

此外激光的精確度更高,可以達(dá)到亞微米級(jí)別,非常適合精密加工,在強(qiáng)大的脈沖能量下,硅材料直接汽化產(chǎn)生均勻的溝道,實(shí)現(xiàn)切割。

激光切割速度更快,且不需要冷卻水,更不會(huì)出現(xiàn)磨損刀具的問題,可以24小時(shí)不間斷作業(yè)。

激光對(duì)晶圓有更好的兼容性和通用性。

切割后的晶圓再通過(guò)氧化、化學(xué)氣相沉積等方法進(jìn)行鍍膜,使表面形成一層SiO2薄膜,并在SiO2薄膜中進(jìn)行N型、P型摻雜。

是不是很多網(wǎng)友認(rèn)為晶圓就像一張DVD光盤,其實(shí)并非如此,晶圓不是標(biāo)準(zhǔn)的圓形,一般都會(huì)切出一個(gè)邊,當(dāng)作類似三角形的“底”,成為“有底的圓”。


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